Name: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 1.62 EUR
Availability: OutOfStock

BSZ086P03NS3EGATMA1 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

onsemi

En stock: 4 713

Prix unitaire : 34,36000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSZ086P03NS3EGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ086P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ086P03NS3EGATMA1
Description	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ086P03NS3EGATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,1V à 105µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57.5 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4785 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,5 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base BSZ086
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,6mohms à 20A, 10V