VideoLibrary

ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | DigiKey Daily

ROHM presents their silicon carbide power MOSFETs. Unlike IGBTs, these devices have no tail current during turn-off, resulting in faster operation and reduced switching loss. Also, unlike silicon devices, the On resistance remains relatively constant even at high temperatures, minimizing conduction losses. ROHM’s 3rd generation trench-based SiC MOSFETs feature a fourth lead, separating power source and driver source pins. This eliminates parasitic source inductance in the gate drive loop and allows for faster switching speed, resulting in up to 35% lower losses than conventional 3-pin package alternatives. ROHM’s 4-pin SiC MOSFETs are offered in 650V and 1200V variants and are ideal for server power supplies, solar power inverters, and EV charging stations.

Learn more about ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs
10/9/2019 1:28:09 PM

Part List

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4LSCT3040KRC14SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L321 - Immédiatement$43.29Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4LSCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L129 - Immédiatement$15.30Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4LSCT3105KRC14SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L102 - Immédiatement$19.72Afficher les détails
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4LSCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L123 - Immédiatement$41.39Afficher les détails
SICFET N-CH 650V 39A TO247-4LSCT3060ARC14SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L194 - Immédiatement$21.47Afficher les détails
SICFET N-CH 650V 30A TO247-4LSCT3080ARC14SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L14 - Immédiatement$17.40Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE0 - Immédiatement$548.95Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 400A MODULEBSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE4 - Immédiatement$708.70Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 600A MODULEBSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE0 - Immédiatement$1,032.72Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - Immédiatement$12.58Afficher les détails
SICFET N-CH 650V 29A TO220ABSCT2120AFCSICFET N-CH 650V 29A TO220AB0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2470 - Immédiatement$7.12Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO2470 - Immédiatement$4.53Afficher les détails
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO2470 - Immédiatement$3.58Afficher les détails
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Immédiatement$3.01Afficher les détails
SICFET N-CH 1700V 4A TO268SCT2H12NYTBSICFET N-CH 1700V 4A TO2680 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM0 - Immédiatement$7.88Afficher les détails
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N200 - Immédiatement$39.43Afficher les détails
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALGC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N880 - Immédiatement$24.40Afficher les détails

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Date de publication : 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Date de publication : 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Date de publication : 2023-02-06

Related Product Highlight

MOSFET SCT en carbure de silicium de 4e génération Les MOSFET en carbure de silicium de 4e génération de ROHM sont conçus pour offrir un rendement et des performances inégalées dans les applications exigeantes.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
Diodes Schottky SiC Les diodes Schottky SiC de ROHM sont homologuées AEC-Q101 pour une utilisation dans le secteur automobile.

Related Articles and Blogs

Comment réduire les pertes, améliorer le rendement et étendre la plage de températures dans les applications haute puissance Les concepteurs peuvent utiliser des MOSFET SiC de 4e génération pour améliorer considérablement le rendement, réduire les coûts et diminuer la taille des circuits de commande haute tension et haute puissance.
Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.
Semi-conducteurs à large bande interdite dans les applications aérospatiales et satellitaires Les semi-conducteurs à large bande interdite offrent plusieurs avantages dans la conversion de puissance, notamment l'augmentation de la densité de puissance et du rendement, et la réduction de la taille et du poids des systèmes.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Trench MOSFETs Minimal reverse recovery behavior of the parasitic diode and supports high-speed switching.