Name: BSM180C12P2E202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P2E202-ND
Price: 629.268 EUR
Availability: OutOfStock

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BSM180C12P2E202
Numéro de produit DigiKey	BSM180C12P2E202-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM180C12P2E202
Description	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 204 A (Tc) 1360W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSM180C12P2E202 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	204 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 35,2mA
Vgs (max.)	+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	20000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1360W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	Module
Boîtier	Module
Numéro de produit de base	BSM180

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	524,39000 €	524,39 €

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.