VideoLibrary

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

This video will show how GaN FETs are driven with Broadcom Optocouplers.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immédiatement$9.80Afficher les détails
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immédiatement$11.91Afficher les détails
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immédiatement$9.50Afficher les détails
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immédiatement$12.10Afficher les détails
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immédiatement$12.10Afficher les détails

Related Videos

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Date de publication : 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Date de publication : 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Date de publication : 2025-04-07

Related Product Highlight

FET GaN cascode Les FET GaN cascode de Nexperia présentent une densité de puissance, des performances et une fréquence de commutation élevées pour les applications de systèmes électriques telles que l'industrie 4.0 et les énergies renouvelables.
FET en GaN Les FET en GaN de Nexperia permettent des systèmes plus petits, plus rapides, plus froids, plus légers, et à moindres coûts globaux.

Related Articles and Blogs

Les semi-conducteurs à large bande interdite améliorent l'efficacité dans les data centers Étant donné que les data centers ont d'énormes besoins en énergie, des solutions d'alimentation capables de réduire les pertes de puissance, d'augmenter le rendement et d'améliorer le contrôle thermique sont nécessaires.
Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.
Pourquoi et comment appliquer des transistors à effet de champ GaN à des applications d'alimentation à découpage haute tension efficaces Améliorer le rendement énergétique et la densité de puissance dans les systèmes d'alimentation à découpage haute tension grâce à une bonne compréhension des principes et de l'application correcte des FET GaN.