Nexperia

FET GaN cascode

Les FET GaN de Nexperia offrent performances, rendement et fiabilité pour les systèmes d'alimentation

Image des FET GaN cascode de NexperiaLes FET GaN cascode de Nexperia offrent une densité de puissance, des performances et une fréquence de commutation élevées. La très grande mobilité électronique du GaN permet la création de dispositifs ayant une faible résistance à l'état passant et une capacité de fréquence de commutation exceptionnellement élevée, ce qui est essentiel dans les systèmes d'alimentation de nouvelle génération, tels que l'Industrie 4.0 et les applications d'énergie renouvelable. La solution unique de FET GaN cascode facilite l'entraînement des dispositifs utilisant les circuits d'attaque de grille MOSFET Si bien connus. Elle offre une température de jonction élevée inégalée [Tj (max) = +175°C], une liberté de conception et une fiabilité améliorée des systèmes d'alimentation.

Cascode GaN FETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immédiatement$11.91Afficher les détails
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immédiatement$9.80Afficher les détails
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immédiatement$12.10Afficher les détails
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immédiatement$9.50Afficher les détails
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immédiatement$10.19Afficher les détails
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immédiatement$12.10Afficher les détails
Date de publication : 2024-09-04

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