GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

GAN063-650WSAQ est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Nexperia USA Inc.

En stock: 281

Prix unitaire : 13,82000 €

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GAN063-650WSAQ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN063-650WSAQ
Description	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 34,5 A (Tc) 143W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	GAN063-650WSAQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	34,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1000 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	143W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	GAN063