Name: DMG6601LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6601LVT-7DITR-ND
Price: 0.432 EUR
Availability: InStock

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DMG6601LVT-7
Numéro de produit DigiKey	DMG6601LVT-7DITR-ND - Bande et bobine DMG6601LVT-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMG6601LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMG6601LVT-7
Description	MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 3,8 A, 2,5 A 850mW Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMG6601LVT-7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,8 A, 2,5 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	55mohms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12,3nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	422pF à 15V
Puissance - Max.	850mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	TSOT-26
Numéro de produit de base	DMG6601

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