Name: 2N7002DWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2N7002DWH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.336 EUR
Availability: InStock

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2N7002DWH6327XTSA1
Numéro de produit DigiKey	2N7002DWH6327XTSA1TR-ND - Bande et bobine 2N7002DWH6327XTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 2N7002DWH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	2N7002DWH6327XTSA1
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 300mA 500mW Montage en surface PG-SOT363-PO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	2N7002DWH6327XTSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 3ohms à 500mA, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Série OptiMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,6nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20pF à 25V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 500mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier fournisseur PG-SOT363-PO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300mA	Numéro de produit de base 2N7002

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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