Circuits d'attaque de grille

Résultats : 6 222
Fabricant
3PEAKAllegro MicroSystemsAlpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBroadcom LimitedDiodes IncorporatedEcon ConnectElantecEPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Série
-*ADP3413ADP3417Advanced Smart Rectifier™Combi-Sense®CoreControl™DS1679EiceDriver™EiceDRIVER™FLEXMOS™Functional Safety (FuSa)
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBarrette de connexionBoîteDigi-Reel®En vracPlateauTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Programmable DigiKey
-Non vérifiéVérifié
Configuration
-Bas potentielDemi-pontDemi-pont, bas potentielFlottantHaut potentielHaut potentiel et bas potentielHaut potentiel ou bas potentielpont complet
Type de canal
3 phases-IndépendantSimpleSynchrone
Nombre de circuits d'attaque
123468
Type de grille
-FET GaN à enrichissementIGBTIGBT, MOSFET à canal NIGBT, MOSFET à canal P, canal NIGBT, MOSFET SiCMOSFET à canal NMOSFET à canal N, MOSFET SiCMOSFET à canal PMOSFET à canal P, canal NMOSFET SiC
Tension - Alimentation
-10V ~ 25V-7V ~ -15V, 14V ~ 18V-3,5V ~ -10V, 13V ~ 25V0V ~ 100V0V ~ 16V0V ~ 18V0,3V ~ 60V1,8V ~ 13,2V1,8V ~ 5,5V1,8V ~ 6V2,35V ~ 7V2,5V ~ 16V
Tension logique - VIL, VIH
0,06V, 2,5V0,08V, 2,5V0,25V, 2,4V0,3V, 1,2V0,3V, 1,7V0,4V, 0,7V0,4V, 1,1V0,4V, 1,2V0,4V, 1,6V0,4V, 2,6V0,4V, 5,5V0,48V, 1,4V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
-50mA, 300mA32µA, 400µA1,2 mA, 1,2 mA5mA20mA, 80mA50mA, -50mA, 50mA60 mA, 130 mA90 mA, 180 mA100mA, 100mA125 mA, 250 mA130mA, 130mA
Type d'entrée
-Avec inversion, Sans inversionCircuit d'entrée RCCMOSCMOS, TTLCMOS/TTLInverseurPWM, non inverseurSans inversionTTLTTL, Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
1.2 V1.4 V6 V12 V14 V15 V20 V22 V24 V25 V26 V28 V
Temps de montée / descente (typ.)
375 ps, 350 ps450ps, 450ps500ps, 500ps650ps, 700ps650ps, 850ps900ps, 900ps1ns, 1ns2ns, 1,5ns2,5ns, 2,5ns3ns, 2ns3ns, 3ns4ns, 3,5ns
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 115°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 130°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 85°C (TA)-45°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 100°C
Grade
-AutomobileMilitaire
Qualification
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-38535LMIL-STD-883
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier
4-UDFN plot exposé, 4-TMLF®4-UQFN6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-UDFN plot exposé6-UFBGA, DSBGA6-UFBGA, WLCSP6-VDFN plot exposé6-WDFN plot exposé6-XFBGA, WLCSP6-XFDFN7-SMD, sorties plates7-SSIP broches formées
Boîtier fournisseur
4-TQFN (1,2x1,2)5-HVSOF5-SSOP6-DFN (2x2)6-DFN (4x5)6-DSBGA6-MicroFET (2x2)6-SON (3x3)6-TDFN (3x3)6-TDFN-EP (3x3)6-UMLP (2x2)6-WCSPE (0,80x1,2)
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Programmable DigiKey
Configuration
Type de canal
Nombre de circuits d'attaque
Type de grille
Tension - Alimentation
Tension logique - VIL, VIH
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
Type d'entrée
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
Temps de montée / descente (typ.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT 26
ZXGD3009E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
19 975
En stock
138 000
Usine
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13007 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET à canal N
40V (maxi)
-
2A, 2A
Sans inversion
-
210ns, 240ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
SOT-23-6
ZXGD3003E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
91 974
En stock
390 000
Usine
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,18002 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET à canal N
40V (maxi)
-
5A, 5A
Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-23-6
8 SOIC
ADP3110AKRZ-RL
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
onsemi
20 490
En stock
1 : 0,55000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,18252 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET à canal N
4,6V ~ 13,2V
0,8V, 2V
-
Avec inversion, Sans inversion
35 V
20ns, 11ns
0°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT 26
ZXGD3006E6QTA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
24 130
En stock
450 000
Usine
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24336 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (maxi)
-
10A, 10A
Sans inversion
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
SOT 23-5
MCP1416T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
269 452
En stock
1 : 0,68000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,51700 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1402T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
115 196
En stock
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,52623 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Sans inversion
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1415T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
35 772
En stock
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,51700 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Inverseur
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1401T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
30 956
En stock
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,52623 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Inverseur
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
FAN3111ESX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
30 470
En stock
1 : 0,74000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,26560 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET à canal N
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
10-DFN
DGD05473FN-7
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Diodes Incorporated
16 010
En stock
132 000
Usine
1 : 0,75000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28839 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET à canal N
0,3V ~ 60V
0,8V, 2,4V
1,5A, 2,5A
CMOS/TTL
50 V
16ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
10-WFDFN plot exposé
W-DFN3030-10
8-SOIC
IX4428NTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Littelfuse Inc.
43 829
En stock
4 000
Usine
1 : 0,77000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,40794 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
10-DFN
DGD05463FN-7
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Diodes Incorporated
3 455
En stock
1 : 0,77000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32700 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET à canal N
4,5V ~ 14V
0,8V, 2,4V
1,5A, 2,5A
CMOS/TTL
50 V
17ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
10-WFDFN plot exposé
W-DFN3030-10
SOT753
UCC27517DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
18 607
En stock
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29943 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET à canal N
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
IX4310TTR
IX4310TTR
MOSFET DRIVER 2A 24V SOT23
Littelfuse Inc.
22 653
En stock
15 000
Usine
1 : 0,82000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,35011 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
1
MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8-DFN 3x3
IX4427MTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Littelfuse Inc.
109 310
En stock
1 : 0,84000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,44879 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
8-VDFN plot exposé
8-DFN (3x3)
IRS2008STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
28 869
En stock
1 : 0,85000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,36173 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET à canal N
10V ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
IRS2005STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
26 484
En stock
1 : 0,85000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,36173 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
IGBT, MOSFET à canal N
10V ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT 23-5
1EDN7512BXTSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
19 826
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36891 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET à canal N
4,5V ~ 20V
-
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
-
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
PG-SOT23-5-1
4-TQFN (1.2x1.2)
MIC5019YFT-TR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
49 432
En stock
1 : 0,93000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,73856 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET à canal N
2,7V ~ 9V
0,8V, 3V
-
Sans inversion
-
-
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
4-UDFN plot exposé, 4-TMLF®
4-TQFN (1,2x1,2)
SOT-23-6 PKG
UCC27511DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
12 476
En stock
1 : 0,93000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,39573 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET à canal N
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-5
FAN3100TSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
42 418
En stock
1 : 0,96000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38692 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET à canal N
4,5V ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8-MLF
MIC4127YML-TR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MLF
Microchip Technology
9 148
En stock
1 : 1,02000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,74780 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET à canal N
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 18ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VDFN plot exposé, 8-MLF®
8-MLF® (3x3)
8-SOIC Exp Pad
MIC4127YME-TR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Microchip Technology
12 769
En stock
1 : 1,04000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,80318 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET à canal N
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 18ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) plot exposé
8-SOIC-EP
10-VSON
LM5108DRCR
IC GATE DRVR PWR MGMT
Texas Instruments
12 636
En stock
1 : 1,08000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,45689 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET à canal N
5,5V ~ 16V
-
1,6A, 2,6A
CMOS/TTL
-
11ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
10-VFDFN plot exposé
10-VSON (3x3)
8-SOIC
IX4427NTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Littelfuse Inc.
55 688
En stock
52 000
Usine
1 : 1,09000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,46146 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET à canal P, canal N
4,5V ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
Affichage de
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Circuits d'attaque de grille


Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.