Circuits d'attaque de grille

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Programmable DigiKey
Configuration
Type de canal
Nombre de circuits d'attaque
Type de grille
Tension - Alimentation
Tension logique - VIL, VIH
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
Type d'entrée
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
Temps de montée / descente (typ.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
4 788
En stock
1 : 0,28000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11327 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
40V (maxi)
-
1A, 1A
Sans inversion
-
210ns, 240ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
8-DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
onsemi
16 533
En stock
363 000
Usine
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12929 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 5,5V
0,6V, 3,3V
-
Sans inversion
40 V
16ns, 11ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VFDFN plot exposé
8-DFN (2x2)
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
4 639
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,18571 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (maxi)
-
10A, 10A
Sans inversion
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
PG-SOT23-6-2
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
6 862
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24918 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
8V ~ 20V
1,2V, 1,9V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6-2
PG-SOT23-5-1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
3 559
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24918 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
20 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
PG-SOT23-5-1
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
63 665
En stock
1 : 0,57000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25859 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
24-VFQFN Exposed Pad
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
10 937
En stock
1 : 0,62000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28237 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
3 phases
3
MOSFET (canal N)
5V ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
24-VFQFN plot exposé
24-VQFN (4x4)
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
32 402
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,48194 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
13 926
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,48194 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SC-74A, SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
8 416
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28695 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
10,2V ~ 20V
0,8V, 2,5V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
1 164
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28733 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
4A, 8A
Sans inversion
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
43 035
En stock
1 : 0,65000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,51163 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Sans inversion
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
12 908
En stock
1 : 0,65000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,48194 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Inverseur
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
11 324
En stock
1 : 0,65000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,49054 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Inverseur
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
2 997
En stock
1 : 0,65000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29793 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
10V ~ 18V
0,8V, 2,2V
160 mA, 240 mA
Sans inversion
100 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
IX4310TTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
IXYS Integrated Circuits Division
1 023
En stock
9 000
Usine
1 : 0,71000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32647 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
1
MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
64 242
En stock
1 : 0,72000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,34441 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
8V ~ 14V
0,8V, 2,2V
1A, 1A
Sans inversion
108 V
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
29 222
En stock
1 : 0,72000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33451 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
14 293
En stock
1 : 0,73000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33972 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Avec inversion, Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
11 653
En stock
1 : 0,76000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,35005 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
5A, 5A
Sans inversion
-
5,3ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
PG-DSO-8-60
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
6 986
En stock
1 : 0,81000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,37821 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
2 448
En stock
1 : 0,83000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,39000 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-23-6
4-TQFN (1.2x1.2)
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
36 903
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,68848 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
2,7V ~ 9V
0,8V, 3V
-
Sans inversion
-
-
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
4-UDFN plot exposé, 4-TMLF®
4-TQFN (1,2x1,2)
9 180
En stock
1 : 0,90000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,43385 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
8 SO
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
8 289
En stock
1 : 0,91000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,43772 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
IGBT, MOSFET (canal N)
10V ~ 20V
0,7V, 2,3V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
600 V
70ns, 35ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SO
Affichage de
sur 6 369

Circuits d'attaque de grille


Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.