Circuits d'attaque de grille

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Programmable DigiKey
Configuration
Type de canal
Nombre de circuits d'attaque
Type de grille
Tension - Alimentation
Tension logique - VIL, VIH
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
Type d'entrée
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
Temps de montée / descente (typ.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
DT2042-04SOQ-7
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
5 843
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11270 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
40V (maxi)
-
1A, 1A
Sans inversion
-
210ns, 240ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
8-DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
onsemi
4 584
En stock
363 000
Usine
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12865 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 5,5V
0,6V, 3,3V
-
Sans inversion
40 V
16ns, 11ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VFDFN plot exposé
8-DFN (2x2)
DT2042-04SOQ-7
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
4 639
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,18478 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (maxi)
-
10A, 10A
Sans inversion
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
DT2042-04SOQ-7
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
7 473
En stock
1 : 0,50000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,22052 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (maxi)
-
10A, 10A
Sans inversion
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
PG-SOT23-6-2
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
14 179
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24793 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
8V ~ 20V
1,2V, 1,9V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6-2
PG-SOT23-5-1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
7 035
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24793 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
20 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
PG-SOT23-5-1
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
64 595
En stock
1 : 0,57000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25730 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
24-VFQFN Exposed Pad
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
11 857
En stock
1 : 0,62000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28096 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
High-Side, Low-Side
3 phases
3
MOSFET (canal N)
5V ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
24-VFQFN plot exposé
24-VQFN (4x4)
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
37 015
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,47953 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
13 928
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,47953 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SC-74A, SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
8 981
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28552 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
10,2V ~ 20V
0,8V, 2,5V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
23 931
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,50907 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Sans inversion
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
13 056
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,48809 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Inverseur
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
12 908
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,47953 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Inverseur
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
6 492
En stock
1 : 0,65000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29644 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
10V ~ 18V
0,8V, 2,2V
160 mA, 240 mA
Sans inversion
100 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
24-VFQFN Exposed Pad
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
25 928
En stock
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,31871 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
High-Side, Low-Side
3 phases
3
MOSFET (canal N)
5V ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
24-VFQFN plot exposé
24-VQFN (4x4)
IX4310TTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
IXYS Integrated Circuits Division
4 587
En stock
1 : 0,70000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32483 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
1
MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
TLV2462AMDREP
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
64 577
En stock
1 : 0,72000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,34269 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
8V ~ 14V
0,8V, 2,2V
1A, 1A
Sans inversion
108 V
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
14 433
En stock
1 : 0,73000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33802 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Avec inversion, Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
13 854
En stock
1 : 0,75000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,34830 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
5A, 5A
Sans inversion
-
5,3ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
PG-DSO-8-60
4-TQFN (1.2x1.2)
IC GATE DRVR LOW-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
2 448
En stock
1 : 0,76000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,62082 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
0,8V, 3V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
4-UQFN
4-TQFN (1,2x1,2)
SOT753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
2 315
En stock
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36576 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
IRS25411STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
25 678
En stock
1 : 0,80000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,37150 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET (canal N)
10V ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
22 778
En stock
1 : 0,80000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,37632 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
2 786
En stock
1 : 0,82000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38806 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-23-6
Affichage de
sur 6 413

Circuits d'attaque de grille


Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.