FET, MOSFET simples

Résultats : 42 811
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Ampleon USA Inc.Analog Devices Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild Semiconductor
Série
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, NexFET™
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteBarrette de connexionBoîteDigi-Reel®En vracPlateauSacTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
-Canal NCanal P
Technologies
-GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode)GaNFET (nitrure de gallium)MOSFET (oxyde métallique)SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)SiCFET (carbure de silicium)SiCFET (cascode SiCJFET)
Tension drain-source (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,4 mOhms à 50A, 10V0,4mOhms à 150A, 10V0,4mOhms à 30A, 10V0,42mOhms à 50A, 10V0,45mOhms à 30A, 10V0,45mOhms à 50A, 10V0,45mOhms à 60A, 4,5V0,47mOhms à 20A, 10V0,48 mOhms à 50A, 10V0,52mOhms à 20A, 10V0,52mOhms à 30A, 10V0,52mOhms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
400mV à 1mA (min)400mV à 250µA (min)450mV à 100µA (min)450mV à 1mA (min)450mV à 250µA (min)450mV à 2mA (min)0.5V @ 250µA500mV à 250µA (min)570mV à 1mA (typ.)600mV à 1,2mA (min)600mV à 11µA600mV à 1mA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
-20V-15V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1.678 pF @ 15 V1.925 pF @ 30 V2.242 pF @ 15 V2.28 pF @ 25 V2.76 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5 pF @ 25 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V
Fonction FET
-Diode Schottky (isolée)Diode Schottky (substrat)Diode de détection de températureDétection de courantMode de déplétionStandard
Dissipation de puissance (max.)
950µW (Ta)1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier fournisseur
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Boîtier
2-DFN Piazzola esposta2-PowerTSFN3-DFN plot exposé3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, broches plates3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variable3-SMD, broches plates3-SMD, broches plates
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1 024 071
En stock
1 : 1,20000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,50876 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhms à 100mA, 5V2,5V à 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
7 889
En stock
1 : 1,20000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,50876 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhms à 1A, 5V2,5V à 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
268 724
En stock
1 : 1,20000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,50876 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohms à 50mA, 5V2,5V à 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
82 857
En stock
1 : 1,46000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,61877 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhms à 6A, 5V2,5V à 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
179 278
En stock
1 : 1,48000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,67622 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhms à 11A, 5V2,5V à 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
51 831
En stock
1 : 1,66000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,83251 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V3 A (Ta)5V43mOhms à 1A, 5V2,5V à 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
20 009
En stock
1 : 2,00000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,91489 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V4 A (Ta)5V160mOhms à 500mA, 5V2,5V à 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
42 005
En stock
1 : 2,00000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,91489 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V6 A (Ta)5V30mOhms à 6A, 5V2,5V à 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
14 985
En stock
1 : 2,35000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,07400 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V29 A (Ta)5V6mOhms à 16A, 5V2,5V à 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
19 411
En stock
1 : 2,38000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,08726 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhms à 15A, 5V2,5V à 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
12 370
En stock
1 : 2,58000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,18008 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V16 A (Ta)5V7mOhms à 16A, 5V2,5V à 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
26 900
En stock
1 : 2,58000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,18008 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V5 A (Ta)5V100mOhms à 3A, 5V2,5V à 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
6 551
En stock
1 : 2,72000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,24637 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)80 V18 A (Ta)5V17mOhms à 11A, 5V2,5V à 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
164 212
En stock
1 : 2,78000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,27289 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhms à 11A, 5V2,5V à 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
54 112
En stock
1 : 2,92000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,46304 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)65 V2 A (Ta)5V530mOhms à 500mA, 5V2,5V à 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
8 102
En stock
1 : 3,12000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,65005 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)80 V60 A (Ta)5V3,6mOhms à 25A, 5V2,5V à 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
109 823
En stock
1 : 3,43000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,81505 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V8,5 A (Ta)5V42mohms à 7A, 5V2,5V à 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
18 561
En stock
1 : 4,32000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,16844 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)40 V53 A (Ta)5V4mOhms à 33A, 5V2,5V à 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
122 148
En stock
1 : 4,40000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,20762 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V36 A (Ta)5V7mOhms à 25A, 5V2,5V à 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
69 762
En stock
1 : 4,58000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 2,42007 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V60 A (Ta)5V3,2mOhms à 25A, 5V2,5V à 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
25 052
En stock
1 : 5,75000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,88689 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V32 A (Ta)5V8mOhms à 20A, 5V2,5V à 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
12 669
En stock
1 : 6,45000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 3,23959 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V22 A (Ta)5V25mOhms à 12A, 5V2,5V à 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
11 009
En stock
1 : 5,85000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 3,31482 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)40 V90 A (Ta)5V1,1mOhms à 50A, 5V2,5V à 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
91 057
En stock
1 : 5,72000 €
Bande coupée (CT)
500 : 3,58688 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)80 V90 A (Ta)5V2,2mOhms à 29A, 5V2,5V à 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
4 572
En stock
1 : 6,45000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 3,41009 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V64A (Ta)5V2,2mOhms à 30A, 5V2,5V à 13mA26 nC @ 5 V+6V, -4V3931 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
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FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.