Name: XP3P080N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P080NTR-ND
Price: 0.504 EUR
Availability: InStock

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XP3P080N
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3P080NTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3P080NCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3P080NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3P080N
Description	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 3,2 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3P080
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1296 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,25W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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