Canal N 100 V 50 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
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SUM70090E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SUM70090E-GE3TR-ND - Bande et bobine
SUM70090E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SUM70090E-GE3
Description
MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
42 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 50 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SUM70090E-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
ThunderFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8,9mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1950 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SUM70090
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En stock: 4 533
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
12,17000 €2,17 €
101,39500 €13,95 €
1000,95140 €95,14 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
8000,71914 €575,31 €
1 6000,66488 €1 063,81 €
2 4000,63725 €1 529,40 €
4 0000,60621 €2 424,84 €
5 6000,58783 €3 291,85 €
8 0000,56998 €4 559,84 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:2,17000 €
Prix unitaire avec TVA:2,60400 €