Name: SQS415ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS415ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.656 EUR
Availability: InStock

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SQS415ENW-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQS415ENW-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQS415ENW-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQS415ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQS415ENW-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 16 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8W
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	16,1mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4825 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	62,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	powerPAK® 1212-8W
Boîtier	powerPAK® 1212-8W
Numéro de produit de base	SQS415