Name: SQS161ELNW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS161ELNW-T1_GE3TR-ND
Price: 2.004 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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SQS161ELNW-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQS161ELNW-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQS161ELNW-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQS161ELNW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQS161ELNW-T1_GE3
Description	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 59 A (Tc) 119W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerPAK® 1212-8SLW
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2770 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 119W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 59 A (Tc)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SLW
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 10A, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN