Name: SQJ479EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ479EP-T1_BE3TR-ND
Price: 1.932 EUR
Availability: InStock

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SQJ479EP-T1_BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJ479EP-T1_BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ479EP-T1_BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ479EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ479EP-T1_BE3
Description	P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 32 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ479EP-T1_BE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4500 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 33mohms à 10A, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA