Name: SQD50N06-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N06-09L_GE3TR-ND
Price: 6.372 EUR
Availability: InStock

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SQD50N06-09L_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQD50N06-09L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQD50N06-09L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQD50N06-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQD50N06-09L_GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQD50N06-09L_GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 72 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3065 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base SQD50
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA