Name: SQ3461CEV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3461CEV-T1_GE3TR-ND
Price: 0.828 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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SQ3461CEV-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ3461CEV-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ3461CEV-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ3461CEV-T1_GE3DKR-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ3461CEV-T1_GE3
Description	P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 8 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 4.5 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±8V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000 pF @ 6 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mohms à 7,9A, 4,5V	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA

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Bande et bobine