SQ2362ES-T1_BE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

SQ2362ES-T1_BE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Vishay Siliconix

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Prix unitaire : 0,58000 €

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SQ2362ES-T1_BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ2362ES-T1_BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ2362ES-T1_BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ2362ES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2362ES-T1_BE3
Description	MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 4,3 A (Tc) 3W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 550 pF @ 30 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 3W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,3 A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 68mohms à 2,4A, 10V	Numéro de produit de base SQ2362
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA