Name: SQ2318CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2318CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.696 EUR
Availability: InStock

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SQ2318CES-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ2318CES-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ2318CES-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ2318CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2318CES-T1_GE3
Description	MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 7 A (Tc) 3W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQ2318CES-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 553 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (max.) à Id, Vgs 31mohms à 7,9A, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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