Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.712 EUR
Availability: InStock

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SISS5623DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISS5623DN-T1-GE3
Description	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SISS5623DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1575 pF @ 30 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,5A (Ta), 36,3A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® 1212-8S
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base SISS5623