Name: SISS54DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS54DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.688 EUR
Availability: InStock

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SISS54DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SISS54DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS54DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS54DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISS54DN-T1-GE3
Description	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 51,1A (Ta), 185,6A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,06mohms à 20A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Série TrenchFET® Gen V	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 72 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +16V, -12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3450 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51,1A (Ta), 185,6A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® 1212-8S