Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.936 EUR
Availability: InStock

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SISH536DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISH536DN-T1-GE3
Description	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen V
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24,7A (Ta), 67,4A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,25mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1150 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 1212-8SH
Boîtier	PowerPAK® 1212-8SH

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