
SISH536DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISH536DN-T1-GE3 |
Description | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 3,25mohms à 10A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) +16V, -12V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1150 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,93000 € | 0,93 € |
| 10 | 0,58400 € | 5,84 € |
| 100 | 0,38140 € | 38,14 € |
| 500 | 0,29422 € | 147,11 € |
| 1 000 | 0,26615 € | 266,15 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,23049 € | 691,47 € |
| 6 000 | 0,21253 € | 1 275,18 € |
| 9 000 | 0,20338 € | 1 830,42 € |
| 15 000 | 0,19310 € | 2 896,50 € |
| 21 000 | 0,18702 € | 3 927,42 € |
| 30 000 | 0,18111 € | 5 433,30 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,93000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,11600 € |






