SIHP30N60E-GE3 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 2,81402 €
Fiche technique

Similaire


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 3 045
Prix unitaire : 6,66000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 5,81000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 1 375
Prix unitaire : 6,69000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 1 685
Prix unitaire : 4,06000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 404
Prix unitaire : 4,87000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 2 332
Prix unitaire : 5,40000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 135
Prix unitaire : 5,74000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 66
Prix unitaire : 9,71000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 621
Prix unitaire : 9,96000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 000
Prix unitaire : 5,42000 €
Fiche technique
Canal N 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant
TO-220AB

SIHP30N60E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHP30N60E-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHP30N60E-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHP30N60E-GE3 Modèles
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
125mohms à 15A, 10V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
130 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2600 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (12)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SIHP30N60E-E3Vishay Siliconix0742-SIHP30N60E-E3-ND2,81402 €Équivalent paramétrique
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3 045785-1515-5-ND6,66000 €Similaire
IPP60R099C6XKSA1Infineon Technologies0448-IPP60R099C6XKSA1-ND5,81000 €Similaire
IPP60R099CPAAKSA1Infineon Technologies0IPP60R099CPAAKSA1-ND0,00000 €Similaire
IPP60R099CPXKSA1Infineon Technologies1 375IPP60R099CPXKSA1-ND6,69000 €Similaire
En stock: 0
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
16,06000 €6,06 €
503,23100 €161,55 €
1002,95830 €295,83 €
5002,48094 €1 240,47 €
1 0002,32772 €2 327,72 €
2 0002,28411 €4 568,22 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:6,06000 €
Prix unitaire avec TVA:7,27200 €