Équivalent paramétrique
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SIHP30N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP30N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP30N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHP30N60E-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 15A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2600 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | 2,81402 € | Équivalent paramétrique |
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 045 | 785-1515-5-ND | 6,66000 € | Similaire |
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R099C6XKSA1-ND | 5,81000 € | Similaire |
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R099CPAAKSA1-ND | 0,00000 € | Similaire |
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 1 375 | IPP60R099CPXKSA1-ND | 6,69000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,06000 € | 6,06 € |
| 50 | 3,23100 € | 161,55 € |
| 100 | 2,95830 € | 295,83 € |
| 500 | 2,48094 € | 1 240,47 € |
| 1 000 | 2,32772 € | 2 327,72 € |
| 2 000 | 2,28411 € | 4 568,22 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 6,06000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 7,27200 € |





