
IPP60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP60R125CPXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP60R125CPXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP60R125CPXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 16A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 045 | 785-1515-5-ND | 6,66000 € | Similaire |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 719 | IRF830APBF-ND | 2,63000 € | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,40000 € | Similaire |
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | 1 055 | 846-R6024VNX3C16-ND | 5,52000 € | Similaire |
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | 2,81402 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,40000 € | 5,40 € |
| 50 | 2,85020 € | 142,51 € |
| 100 | 2,60390 € | 260,39 € |
| 500 | 2,17256 € | 1 086,28 € |
| 1 000 | 2,03411 € | 2 034,11 € |
| 2 000 | 1,95998 € | 3 919,96 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 5,40000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 6,48000 € |

