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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHP22N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP22N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP22N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHP22N65E-GE3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2415 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (12)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1 432 | FCP190N60EOS-ND | 4,32000 € | Similaire |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,74000 € | Similaire |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 1,81879 € | Similaire |
| IXFP30N60X | IXYS | 0 | IXFP30N60X-ND | 2,97370 € | Similaire |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | 4,14970 € | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,76354 € | 1 763,54 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,76354 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,11625 € |
