IPP65R190E6XKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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PG-TO220-3-1
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IPP65R190E6XKSA1

Numéro de produit DigiKey
IPP65R190E6XKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPP65R190E6XKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPP65R190E6XKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
190mohms à 7,3 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 730µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1620 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
151W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO220-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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