Name: SIHH068N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 9.96 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIHH068N60E-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIHH068N60E-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIHH068N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHH068N60E-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 34 A (Tc) 202W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIHH068N60E-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC @ 10 V
Série E	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2650 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 202W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 8 x 8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 34 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base SIHH068
Rds On (max.) à Id, Vgs 68mohms à 15A, 10V