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SIHG33N60E-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG33N60E-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG33N60E-E3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3508 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 16,5A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N60E-GE3-ND | 6,58000 € | Équivalent paramétrique |
| FCH099N60E | onsemi | 0 | FCH099N60E-ND | 0,00000 € | Similaire |
| FCH25N60N | onsemi | 0 | FCH25N60NOS-ND | 0,00000 € | Similaire |
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | 240 | SPW35N60C3FKSA1-ND | 8,91000 € | Similaire |
| TK28N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK28N65WS1F-ND | 7,38000 € | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | 2,52390 € | 1 261,95 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,52390 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,02868 € |
