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SIHG22N60AE-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG22N60AE-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG22N60AE-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1451 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 179W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH22N60N | onsemi | 0 | FCH22N60N-ND | 0,00000 € | Similaire |
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 162 | 448-IPW60R180C7XKSA1-ND | 42,15000 € | Similaire |
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 35,31000 € | Similaire |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 042 | 238-IXFH22N65X2-ND | 83,84000 € | Similaire |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | 42,25833 € | Similaire |
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Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,49000 € | 4,49 € |
| 10 | 2,97900 € | 29,79 € |
| 100 | 2,12080 € | 212,08 € |
| 500 | 1,75480 € | 877,40 € |
| 1 000 | 1,63732 € | 1 637,32 € |
| 2 000 | 1,53858 € | 3 077,16 € |
| 5 000 | 1,52982 € | 7 649,10 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,49000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,38800 € |
