Équivalent paramétrique
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SIHD7N60ET5-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD7N60ET5-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD7N60ET5-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | 0,84813 € | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHD7N60E-GE3-ND | 2,49000 € | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND | 0,68168 € | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60ET4-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET4-GE3-ND | 0,61440 € | Équivalent paramétrique |
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPD60R600E6ATMA1TR-ND | 0,00000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,61440 € | 1 843,20 € |
| 6 000 | 0,60555 € | 3 633,30 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,61440 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,73728 € |







