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IPD60R600E6ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IPD60R600E6ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPD60R600E6ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD60R600E6ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7,3 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD60R600E6ATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 2,4A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 200µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20.5 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies | 844 | 448-IPD60R600CM8XTMA1CT-ND | 1,19000 € | Recommandation fabricant |
| FCD850N80Z | onsemi | 17 987 | 488-FCD850N80ZCT-ND | 3,03000 € | Similaire |
| IXTY8N65X2 | IXYS | 345 | IXTY8N65X2-ND | 4,00000 € | Similaire |
| SIHD7N60ET4-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET4-GE3-ND | 0,61440 € | Similaire |
| STD12N60M2 | STMicroelectronics | 7 097 | 497-16033-1-ND | 1,77000 € | Similaire |
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