Name: SIA445EDJT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA445EDJT-T1-GE3TR-ND
Price: 0.912 EUR
Availability: InStock

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SIA445EDJT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIA445EDJT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA445EDJT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA445EDJT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIA445EDJT-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 12 A (Tc) 19W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 simple
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2180 pF @ 10 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 19W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6 simple
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Boîtier PowerPAK® SC-70-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 16,7mohms à 7A, 4,5V	Numéro de produit de base SIA445

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