Name: SI7898DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-E3TR-ND
Price: 1.656 EUR
Availability: InStock

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SI7898DP-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI7898DP-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI7898DP-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7898DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7898DP-T1-E3
Description	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 3 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7898DP-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,9W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SI7898