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SI4900DY-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4900DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 5,3A 3,1W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 58mohms à 4,3A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 665pF à 15V |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 3,1W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,3A | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 195 | SI4900DY-T1-E3CT-ND | 1,62000 € | Équivalent paramétrique |
| AO4828 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1062-2-ND | 0,21808 € | Similaire |
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | 4 288 | SH8K32GZETBCT-ND | 2,08000 € | Similaire |
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 7 018 | 497-3226-1-ND | 2,49000 € | Similaire |
| STS5DNF60L | STMicroelectronics | 1 364 | 497-15672-1-ND | 1,51000 € | Similaire |
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