SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix | Matrices de FET, MOSFET

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SI4900DY-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI4900DY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI4900DY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4900DY-T1-E3
Description	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 5,3A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4900DY-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 58mohms à 4,3A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 665pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 3,1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,3A	Numéro de produit de base SI4900

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (9)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SI9634DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND	1,20000 €	Recommandation fabricant
AO4828	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1062-2-ND	0,21808 €	Similaire
DMNH6042SSDQ-13	Diodes Incorporated	3 014	DMNH6042SSDQ-13DICT-ND	1,56000 €	Similaire
SH8K32GZETB	Rohm Semiconductor	4 288	SH8K32GZETBCT-ND	2,08000 €	Similaire
SH8K32TB1	Rohm Semiconductor	10 004	SH8K32TB1CT-ND	1,97000 €	Similaire

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Bande coupée (CT)

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Prix unitaire avec TVA:	1,94400 €

SI4900DY-T1-E3