
SI4435DDY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4435DDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4435DDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4435DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4435DDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4435DDY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 24mohms à 9,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1350 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,5W (Ta), 5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,98000 € | 0,98 € |
| 10 | 0,61100 € | 6,11 € |
| 100 | 0,40060 € | 40,06 € |
| 500 | 0,31028 € | 155,14 € |
| 1 000 | 0,28119 € | 281,19 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,24970 € | 624,25 € |
| 5 000 | 0,23023 € | 1 151,15 € |
| 7 500 | 0,22031 € | 1 652,33 € |
| 12 500 | 0,20917 € | 2 614,62 € |
| 17 500 | 0,20513 € | 3 589,78 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,98000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,17600 € |











