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SI3460BDV-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI3460BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI3460BDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3460BDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3460BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3460BDV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 3,5W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 8 V |
Série | Vgs (max.) ±8V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 860 pF @ 10 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 3,5W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur 6-TSOP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 27mohms à 5,1A, 4,5V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SI3460BDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 23 | 742-SI3460BDV-T1-BE3CT-ND | 1,10000 € | Direct |
| DMN2028UVT-7 | Diodes Incorporated | 1 609 | DMN2028UVT-7DICT-ND | 0,50000 € | Similaire |
| FDC637AN | onsemi | 11 679 | FDC637ANCT-ND | 1,05000 € | Similaire |
| FDC637BNZ | onsemi | 12 176 | FDC637BNZCT-ND | 0,64000 € | Similaire |
| IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | 1 993 | IRLMS2002PBFCT-ND | 0,79000 € | Similaire |
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