SI3447CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

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Vishay Siliconix

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SI3447CDV-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI3447CDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3447CDV-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 7,8 A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 8 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 910 pF @ 6 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 3W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,8 A (Tc)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Numéro de produit de base SI3447
Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 6,3A, 4,5V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SI3493DDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	SI3493DDV-T1-GE3CT-ND	0,10167 €	Similaire

Obsolète

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SI3447CDV-T1-GE3