
SI3421DV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3421DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3421DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3421DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3421DV-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI3421DV-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 19,2mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2580 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,57000 € | 0,57 € |
| 10 | 0,41200 € | 4,12 € |
| 100 | 0,26540 € | 26,54 € |
| 500 | 0,20248 € | 101,24 € |
| 1 000 | 0,18216 € | 182,16 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,15634 € | 469,02 € |
| 6 000 | 0,14333 € | 859,98 € |
| 9 000 | 0,13052 € | 1 174,68 € |
| 15 000 | 0,12925 € | 1 938,75 € |
| 21 000 | 0,12484 € | 2 621,64 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,57000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,68400 € |











