Name: SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.092 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI3129DV-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3129DV-T1-GE3
Description	P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 3,8A (Ta), 5,4A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,8A (Ta), 5,4A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	82,7mohms à 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	805 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 4,2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 7 357

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine