Name: SI2328DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2328DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.872 EUR
Availability: InStock

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SI2328DS-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI2328DS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI2328DS-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2328DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2328DS-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,15 A (Ta) 730mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 250mohms à 1,5A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 730mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,15 A (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base SI2328