Name: SI2312CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2312CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.756 EUR
Availability: InStock

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SI2312CDS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2312CDS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2312CDS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2312CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2312CDS-T1-BE3
Description	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 865 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5A (Ta), 6A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 31,8mohms à 5A, 4,5V

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