SI2308BDS-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 60 V 2,3 A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI2308BDS-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI2308BDS-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
SI2308BDS-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI2308BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI2308BDS-T1-E3
Description
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 2,3 A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
6.8 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
190 pF @ 30 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
1,09W (Ta), 1,66W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Boîtier fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
156mohms à 1,9A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (7)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SI2308BDS-T1-BE3Vishay Siliconix10742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND0,74000 €Direct
SI2308CDS-T1-GE3Vishay Siliconix2 647SI2308CDS-T1-GE3CT-ND0,47000 €Recommandation fabricant
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Obsolète
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