Name: SI1317DL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1317DL-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6 EUR
Availability: InStock

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SI1317DL-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SI1317DL-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1317DL-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1317DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SI1317DL-T1-GE3
cms-description	MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
cms-standard-lead-time	27 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal P 20 V 1,4 A (Tc) 500mW (Tc) Montage en surface SC-70-3
Fiche technique	Fiche technique

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 1,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	800mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	272 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Tc)
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-70-3
Boîtier	SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base	SI1317

Prix unitaire sans TVA:	0,50000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,60000 €

SI1317DL-T1-GE3