SI1032R-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

SI1032R-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Vishay Siliconix

En stock: 261

Prix unitaire : 0,42000 €

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SI1032R-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1032R-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1032R-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1032R-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1032R-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Montage en surface SC-75A
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI1032R-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 5ohms à 200mA, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0.75 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±6V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 250mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur SC-75A
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 140mA (Ta)	Boîtier SC-75, SOT-416
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Numéro de produit de base SI1032