Name: XPH4R714MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND
Price: 2.004 EUR
Availability: InStock

Canal P 40 V 60 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

XPH4R714MC,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPH4R714MCL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPH4R714MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPH4R714MC,L1XHQ
Description	MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 60 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPH4R714MC,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) +10V, -20V
Série U-MOSVI	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5640 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 132W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,7mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base XPH4R714
Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 1mA