Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 2.424 EUR
Availability: InStock

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TPN1110ENH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPN1110ENHL1QTR-ND - Bande et bobine TPN1110ENHL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN1110ENH,L1Q
Description	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 7,2 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN1110ENH,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 200µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 600 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,2 A (Ta)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TPN1110
Rds On (max.) à Id, Vgs 114mohms à 3,6A, 10V