Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 2.652 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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TPH2R70AR5,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Bande et bobine 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH2R70AR5,LQ
Description	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,3V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5400 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 210W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22A (Ta), 190A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,7mohms à 50A, 10V