Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.208 EUR
Availability: InStock

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TPH1R712MD,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPH1R712MDL1QTR-ND - Bande et bobine TPH1R712MDL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH1R712MD,L1Q
Description	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 60 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPH1R712MD,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 182 nC @ 5 V
Série U-MOSVI	Vgs (max.) ±12V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10900 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Numéro de produit de base TPH1R712
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 30A, 4,5V